AI服務(wù)器算力持續(xù)提升,，散熱設(shè)計(jì)必須跟上系統(tǒng)負(fù)載,，但越強(qiáng)大的散熱方案,，開(kāi)發(fā)過(guò)程中的突發(fā)變量也就越多,。最近消息傳出,，英偉達(dá)下一代GB300/B300系列AI服務(wù)器的開(kāi)發(fā)與測(cè)試中,，作為重要器件的DrMOS出現(xiàn)過(guò)熱,，而這一問(wèn)題可能拖慢出貨節(jié)奏,。

     隨著電源設(shè)計(jì)的日益復(fù)雜,，富有高集成度的DrMOS發(fā)揮出越來(lái)越大的作用，了解此類(lèi)器件,，有助于更好領(lǐng)會(huì)現(xiàn)階段電源方案設(shè)計(jì)的思路,，從而把握這一器件以及配套器件的需求發(fā)展。

     DrMOS(Integrated Driver & MOSFET,，集成驅(qū)動(dòng)器MOS),，從名稱(chēng)就能看出，是將MOSFET與驅(qū)動(dòng)器IC集成封裝所組成的模塊,，該技術(shù)由英特爾率先推出,，因此其應(yīng)用長(zhǎng)期以來(lái)都與PC和服務(wù)器密切相關(guān)。隨著AI產(chǎn)業(yè)的增長(zhǎng),，DrMOS憑借優(yōu)質(zhì)特性,，也被用于算力服務(wù)器的電源方案中。相比傳統(tǒng)供電設(shè)計(jì)中上下行MOSFET與驅(qū)動(dòng)IC分開(kāi)放置的方法,，DrMOS具有以下優(yōu)勢(shì)：

    高集成度：DrMOS將驅(qū)動(dòng)器和MOS管集成在一個(gè)封裝內(nèi),，減少了元件數(shù)量和電路板空間占用,。

    高效能：DrMOS具有更低的導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗，能夠提高電源轉(zhuǎn)換效率,，降低系統(tǒng)功耗和發(fā)熱,。

    快速響應(yīng)：DrMOS能夠?qū)崿F(xiàn)快速的開(kāi)關(guān)切換，響應(yīng)速度快,，有助于提高系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)性能,。

    散熱良好：DrMOS的良好散熱設(shè)計(jì)可有效降低芯片工作溫度，提高系統(tǒng)的可靠性,。

    評(píng)估一顆DrMOS器件的性能,，需要參看以下指標(biāo)：

    功率密度：DrMOS的功率密度是指單位體積內(nèi)的功率輸出。高功率密度意味著在有限的空間內(nèi)能夠提供更高的功率輸出,，有利于電源系統(tǒng)的緊湊化設(shè)計(jì),。

    效率：效率是指輸出功率與輸入功率的比值，高效率可以減少功率損耗并改善熱管理,。DrMOS的熱效率表現(xiàn),，對(duì)降低系統(tǒng)能耗和提升穩(wěn)定度至關(guān)重要。

    熱性能：熱性能主要是DrMOS內(nèi)MOSFET的結(jié)溫,、熱阻等參數(shù)來(lái)衡量,，良好的熱性能可以確保器件在高溫環(huán)境下仍能穩(wěn)定工作，延長(zhǎng)設(shè)備壽命,。

    開(kāi)關(guān)速度：指DrMOS在開(kāi)關(guān)過(guò)程中的響應(yīng)時(shí)間,，更快的開(kāi)關(guān)速度可以減少開(kāi)關(guān)損耗，提高系統(tǒng)的整體性能,。

    保護(hù)特性：DrMOS通常集成過(guò)溫保護(hù)（OTP）,、輸入過(guò)壓保護(hù)（VINOVP）和欠壓閉鎖（UVLO）等保護(hù)功能，這些特性可以確保器件在異常情況下不會(huì)損壞,，提高系統(tǒng)的安全性,。

    大市場(chǎng)與激烈競(jìng)爭(zhēng)同在

    DrMOS的主要供應(yīng)商有MPS、ADI,、TI,、安森美、瑞薩,、AOS以及立锜等,，來(lái)自各個(gè)品牌與不同方案，成本可能從幾元到數(shù)十元不等,。調(diào)研機(jī)構(gòu)Omdia的數(shù)據(jù)指出,，2021年全球DrMOS市場(chǎng)規(guī)模約為9.56億美元，預(yù)計(jì)到2026年將增長(zhǎng)至11.22億美元，2021-2026年的復(fù)合年增長(zhǎng)率為3.24%,。

    除了新能源車(chē),、PC與普通服務(wù)器、以及工業(yè)等領(lǐng)域外,，AI服務(wù)器數(shù)量的快速增長(zhǎng),，也將給DrMOS的市場(chǎng)規(guī)模帶來(lái)更多增長(zhǎng)空間。但GPU算力核心的性能日益增長(zhǎng)也給電源設(shè)計(jì)增添了很大難度,，

現(xiàn)有的DrMOS方案也在面對(duì)性能極限的挑戰(zhàn),。

   最近英偉達(dá)GB300/B300系列AI服務(wù)器的開(kāi)發(fā)測(cè)試中，發(fā)現(xiàn)所使用的的DrMOS存在嚴(yán)重過(guò)熱問(wèn)題,，或?qū)⑼下w上市進(jìn)度,。消息指出，是AOS 的5x5 DrMO存在問(wèn)題,，如無(wú)法解決英偉達(dá)則可能更換MPS的5x6 DrMOS,。

    英偉達(dá)優(yōu)先測(cè)試AOS的方案，本意在于引入MPS之外的供應(yīng)商平衡成本,，但目前來(lái)看變更方案還是將更有利于MPS,。此事件也印證了DrMOS市場(chǎng)激烈的競(jìng)爭(zhēng)格局，想要拿到大型客戶的供應(yīng)

權(quán)絕非易事,。

    隨著各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展,，DrMOS市場(chǎng)無(wú)疑深具前景，終端應(yīng)用日益嚴(yán)格的要求,，將會(huì)促進(jìn)各大供應(yīng)商不斷更新技術(shù),，從而促使DrMOS向更高轉(zhuǎn)換效率、更低效能損耗和封裝更加輕巧

的方向發(fā)展,。