Nexperia 宣布擴(kuò)大其 NextPower 80/100 V MOSFET 產(chǎn)品組合的封裝選項，之前僅提供 LFPAK56E 封裝,，現(xiàn)在還包括 LFPAK56 和 LFPAK88 封裝,。

    這些器件旨在將電信、服務(wù)器計算,、工業(yè),、電源、快速充電,、USB-PD 和電機(jī)控制應(yīng)用中的高效率與減少尖峰行為結(jié)合起來,。

    Q g *R DSon品質(zhì)因數(shù)長期以來一直是旨在提高 MOSFET 開關(guān)效率的半導(dǎo)體制造商關(guān)注的焦點。

    然而,，將該數(shù)字壓得更低會產(chǎn)生意想不到的后果：MOSFET 開啟或關(guān)閉時尖峰電平增加,，從而增加產(chǎn)生的電磁干擾 (EMI) 量。

    確定這是一個新出現(xiàn)的問題后,，Nexperia 開始研究如何修改其他工藝技術(shù)參數(shù)來幫助解決該問題,。

    這些努力終導(dǎo)致 Nexperia 發(fā)布了具有較低 Q rr（反向恢復(fù)電荷）的 NextPower 80/100 V MOSFET，使它們能夠顯著減少開關(guān)轉(zhuǎn)換期間的尖峰量，同時表現(xiàn)出與競爭 MOSFET 相同的高效性能,，但 EMI 更低,。

    通過在 LFPAK56 和 LFPAK88 中提供這些高效率、低尖峰的 NextPower 80/100 V MOSFET,，Nexperia 不僅使設(shè)計人員能夠縮小應(yīng)用尺寸并從銅夾封裝的增強(qiáng)穩(wěn)健性中受益,，而且還為設(shè)計工程師提供了新的選擇以及希望為其現(xiàn)有設(shè)計尋找額外來源的客戶。