東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布,，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”,。該器件采用zui新一代[1]“U-MOSX-H”工藝,，適用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源,，其中包括數(shù)據(jù)中心電源和通信基站電源,。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。

    與使用當(dāng)前一代“U-MOSⅧ-H”工藝的150V產(chǎn)品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH的漏源導(dǎo)通電阻下降約42%,。對新型MOSFET的結(jié)構(gòu)優(yōu)化促進實現(xiàn)源漏導(dǎo)通電阻

和兩項電荷特性[2]之間的平衡[3],，

從而實現(xiàn)了優(yōu)異的低損耗特性。此外,，開關(guān)操作時漏極和源極之間的尖峰電壓降低,，有助于減少開關(guān)電源的電磁干擾（EMI）。該產(chǎn)品提供SOP Advance和更為廣泛采用的SOP

 Advance（N）這兩種類型的表面貼裝封裝,。

    與此同時,，東芝還提供各類工具，為開關(guān)電源的電路設(shè)計提供支持,。除了能快速驗證電路功能的G0 SPICE模型,，現(xiàn)在還提供能jing確再現(xiàn)瞬態(tài)特性的高jing度G2 SPICE模型。

    東芝將進一步擴大其MOSFET產(chǎn)品線,，通過減少損耗提高設(shè)備電源效率,，進而幫助其降低功耗。

    應(yīng)用：

    -      通信設(shè)備電源

    -      開關(guān)電源（高效率DC-DC轉(zhuǎn)換器等）

    特性：

    -      優(yōu)異的低損耗特性（在導(dǎo)通電阻和柵開關(guān)電荷及輸出電荷間取得平衡）

    -      卓越的導(dǎo)通電阻：RDS(ON)＝9.0mΩ（zui大值）@VGS＝10V

    -      高額定結(jié)溫：Tch（zui大值）＝175℃